- Sections
- C - Chimie; métallurgie
- C25D - Procédés pour la production électrolytique ou électrophorétique de revêtements; galvanoplastie; jonction de pièces par électrolyse; appareillages à cet effet
- C25D 3/32 - Dépôt électrochimique; Bains utilisés à partir de solutions d'étain caractérisé par les constituants organiques utilisés pour le bain
Détention brevets de la classe C25D 3/32
Brevets de cette classe: 141
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| BASF SE | 19740 |
22 |
| Mitsubishi Materials Corporation | 2378 |
20 |
| Rohm and Haas Electronic Materials LLC | 637 |
19 |
| Dow Global Technologies LLC | 10147 |
5 |
| Atotech Deutschland GmbH | 586 |
4 |
| MacDermid Enthone Inc. | 237 |
4 |
| Nippon Steel Corporation | 5649 |
4 |
| The Boeing Company | 19843 |
3 |
| Technic, Inc. | 40 |
3 |
| Yazaki Corporation | 6282 |
2 |
| C. Uyemura & Co., Ltd. | 156 |
2 |
| Duksan High Metal Co., Ltd. | 60 |
2 |
| Ishihara Chemical Co., Ltd. | 62 |
2 |
| Meltex Inc. | 14 |
2 |
| Veolia Environnement - ve | 17 |
2 |
| Shinhao Materials LLC | 6 |
2 |
| New Mexico Tech University Research Park Corporation | 35 |
2 |
| Ming Chi University of Technology | 33 |
2 |
| JX Metals Corporation | 111 |
2 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
1 |
| Autres propriétaires | 36 |